В современной компьютерной технике часто используются физические свойства полупроводников, когда прохождение тока через полупроводник или его отсутствие трактуются как наличие логических сигналов 0 или 1
Корпорация Intel объявила о намерении на проходящем в Сан-Франциско мероприятии IEDM (International Electron Devices Meeting) обсудить возможность использования ячеек бесконденсаторной памяти с так называемым эффектом «плавающего тела», возникающего под затвором транзистора на диэлектрической плёнке. К слову сказать, кроме Intel, в направлении использования этого эффекта работают также Toshiba, Innovative Silicon и Renesas.
Однако в отличие от них Intel намерена использовать эту технологию для использования в качестве кэш-памяти для своих будущих процессоров вместо SRAM, которая имеет недостаточную по сегодняшним меркам плотность. В то же время, альтернативная ей технология eDRAM хоть и имеет большую плотность, отличается более низкой скоростью работы, да и стоит дороже. Таким образом, FBC может стать для Intel неким компромиссным решением.
Но прежде процессорному гиганту всё же придётся решить некоторые проблемы, связанные в частности, с трудностями выпуска процессоров с интегрированным кэшем. Впрочем, о массовом внедрении FBC речи пока и не идёт: для того, чтобы окончательно определиться с использованием этой технологии в своих процессорах, Intel потребуется от трёх до семи лет.
