ZeLeZo.net.ua
May 11 2024 07:09:00
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика
Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 10324
RaBIT (ATI Radeon BI... 9442
PowerStrip 3.76 8572
nVidia Tray Tools 1.... 9062
nVHardPage SE 3.5 8670
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 8618
GPU-Z 0.1.5 8109
aTuner 1.9.81 8208
ATITool 0.27 beta4 8468
ATI Tray Tools 1.3.6... 8489
Полезная информация:

Молекулярная память [molecular storage] – вид памяти, использующей технологию "атомной тунельной микроскопии", в соответствии с которой запись и считывание данных производится на молекулярном уровне. Носителями информации являются специальные виды пленок.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен
Популярные загрузки
TweakRAM 5.8 buil... 15727
Video Card Stabil... 10324
A64Tweaker v0.6 9799
CoreTemp 0.94 9736
MemTest 3.5 9568
CPUCooL 7.3.6 9528
RaBIT (ATI Radeon... 9442
MemMonster 4.65 9264
MemOptimizer 3.0.1 9246
RivaTuner 2.0 RC 16 9237
RSS News
Рекомендуем:
845 ГГц – новый рекорд для транзистора
РазноеГруппа учёных из Иллинойского Университета изготовила транзистор, способный функционировать на частоте 845 ГГц. Таким образом, предыдущий рекорд превышен сразу на 300 ГГц. Не исключено, что следующее достижение учёных превысит отметку в 1 ТГц.



Транзистор произведён из двух полупроводников и при этом имеет уникальную структуру, благодаря которой устройство и смогло продемонстрировать столь впечатляющие скоростные характеристики. Помимо уникальной структуры, решение сотрудников Иллинойского Университета отличается и чрезвычайно тонкими компонентами. В частности, сообщается, что толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. При этом учёные «вытянули» структуру в вертикальном направлении, тем самым уменьшив дистанцию, которую необходимо преодолеть носителям заряда.

Интересно, что при комнатной температуре (25 градусов по шкале Цельсия) транзистор работает на частоте 765 ГГц, а рекордных 845 ГГц удалось добиться только лишь при снижении рабочей температуры до минус 55 градусов.

  • www.ferra.ru
    		•
    · December 13 2006 09:14:43 · 0 Комментариев · 2269 Прочтений · Печать
    Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 1

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0.05 секунд 10,779,727 уникальных посетителей
    Pure High-definition quality wallpapers for Desktop & mobiles in HD, Wide, 4K Ultra HD, 5K, 8K UHD monitor resolutions...