Как известно, в прошлом месяце компании IBM и Intel почти одновременно анонсировали применение новых материалов для производства процессоров следующего поколения. Оба разработчика говорили о high-k диэлектриках и металлических затворах. Intel сообщила об использовании материалов на базе гафния, а IBM о составе новых диэлектриков предпочла не упоминать. О ходе исследований состава подзатворного диэлектрика для новых транзисторов на днях поделились инженеры компании IBM.
Для создания инновационных диэлектриков IBM будет, как и Intel, применять гафний, кислород и кремний. Инженеры надеются представить новую технологию в 2008 году. Для ускорения процесса исследований было решено задействовать хорошо известный суперкомпьютер Blue Gene/L с 4096 процессорами компании IBM, который находится в Цюрихе. Теоретически материал на основе гафния выглядит довольно привлекательным по своим свойствам, но для исключения всяческих «сюрпризов» инженеры на суперкомпьютере моделировали всевозможные составы с использованием около 50 комбинаций силикатов гафния (смесь диоксида гафния с кремнием) с разной концентрацией гафния. Для ускорения моделирования были использованы новые алгоритмы.
Метод исследования называется “ab initio molecular dynamics”. Особенностью этого метода является использования законов физики без задействования эмпирических данных. Модели включают до 600 атомов и 5000 электронов. Как мы уже говорили, всего исследовалось 50 комбинаций силикатов гафния. На изучение одной комбинации суперкомпьютеру требуется 5 дней. Полное исследование заняло 5 х 50 = 250 дней. На мощном ноутбуке такой эксперимент длился бы около 700 лет.
«В настоящее время мы можем использовать суперкомпьютеры для изучения материалов, которые могут использоваться для создания следующего поколения суперкомпьютеров» - отметил инженер лаборатории в Цюрихе Алессандро Куриони (Alessandro Curioni).
