Не успели своими успехами в области разработки FRAM-памяти поделиться NEC и Toshiba, как пришло сообщение от компании Ramtron.
Texas Instruments (TI) и Ramtron подписали коммерческое соглашение о производстве на мощностях TI FRAM-модулей по 130-нанометровой технологи, включая новейшие чипы с плотностью записи 4 Мбит.
Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FRAM) имеет целый ряд преимуществ перед традиционной технологией: прежде всего, это способность сохранять данные при отключённом энергоснабжении, а также чрезвычайно высокие скорости чтения и записи.
Сотрудничество Ramtron и TI в этой сфере началось ещё в августе 2001 года, когда было подписано первое соглашение о развитии данного проекта. «Это производственное соглашение знаменует важный шаг на пути коммерческого продвижения FRAM-продуктов», – заявил глава Random Билл Стаунтон (Bill Staunton). Он также отметил, что в течение года компания планирует расширить производственную линейку ещё как минимум одним продуктом.
Согласно официальной информации, новый 4-мегабитный чип под наименованием FM22L16 имеет следующие основные характеристики:
- диапазон рабочего напряжения: 2,7 – 3,6 В;
- логическое построение: 256 Кбит x 16;
- количество циклов перезаписи: не менее 100 триллионов;
- среднее время доступа: 55 нс;
- длительность полного цикла: 110 нс;
- корпус: TSOP-II, 44-контактный;
- энергопотребление в активном режиме: 18 мА;
- энергопотребление в экономичном режиме: 5 мкА.
Отдельно следует отметить совместимость с памятью типа SRAM. Цена новых модулей составит 19 долларов за штуку при минимальной партии 10000 штук.
