«Стэкинг» — данное слово становится почти магическим для производителей микросхем. Технология, означающая особый способ вертикальной упаковки чипов, обещает большие возможности по наращиванию быстродействия чипов. Не так давно мы писали о разработке IBM в этой сфере. На этот раз новости пришли из лаборатории Samsung.
Корейская компания обещает в ближайшее время представить на рынок 4-гигабайтные модули памяти, разработанные на основе технологии «through-silicon via» (TSV), что часто переводят как «внутрикремниевые межсоединения». Речь идёт опять-таки об упаковке DRAM-чипов в виде стэка.
Трёхмерная многослойная упаковка модулей (WSP) состоит из четырёх пар чипов DDR2 по 512 Мбайт каждый, что и дает в сумме 4 Гбайт. Аналогично разработкам IBM и Intel, в продукте Samsung традиционные проводные соединения между чипами также заменены на сквозные микростержни — они создаются путем заливки металла-проводника в предварительно вытравленные микроскопические отверстия. Подобное решение позволяет значительно повысить производительность и уменьшить габаритные характеристики мультичиповой упаковки. По сообщению компании, внутри модуля DRAM WSP вокруг TSV-связей имеются дополнительные алюминиевые экраны, призванные устранить снижение производительности за счет возникающих помех.
Специалисты Samsung считают, что разработанная технология не только поддерживает устройства на основе памяти DDR3 со скоростями до 1,6 Гбит/сек, но и является новым шагом в развитии более производительных систем, обладающих к тому же заметно меньшим уровнем энергопотребления. Правда, точные сроки, когда новые модули станут доступны потребителям, не сообщаются.
