В современной компьютерной технике часто используются физические свойства полупроводников, когда прохождение тока через полупроводник или его отсутствие трактуются как наличие логических сигналов 0 или 1
Несмотря на то, что у флэш-памяти уже появился первый конкурент в виде памяти на основе фазовых переходов, серьёзных изменений на соответствующем рынке не предвидится ещё около десяти лет. Дело тут в том, что технология производства чипов флэш-памяти ещё реализована далеко не полностью: теоретически существует возможность создавать более ёмкие микросхемы и повышать в дальнейшем их производительность. Что и доказывает компания Samsung, по совместительству являющаяся одним из мировых лидеров в области изготовления флэш-памяти.
Сотрудники южнокорейской корпорации разработали новую технологию производства кристаллов памяти, которая поможет повысить ёмкость чипов до 128 Гбит. Ноу-хау инженеров заключается в уникальном расположении ячеек памяти, которые теперь формируются не на поверхности чипа, а образуют многослойную структуру. Таким образом, кардинально повышается ёмкость при почти неизменных габаритных размерах чипа.
На данный момент разработчики произвели двухслойную структуру, где нижние ячейки памяти сформированы непосредственно на кремниевой пластине, а верхний слой ячеек располагается на предварительно нанесённой тонкой пленке диэлектриков. При этом используется уже разработанная технология формирования многослойной структуры на поверхности кремниевой пластины, получившая обозначение S3. Стоит отметить, что первоначально технология использовалась для создания многослойной статической SRAM-памяти.
Производство многослойной флэш-памяти будет проводиться по 63-нм техпроцессу, при этом будет использоваться специальный материал, TANOS, предназначенный для формирования элементов транзистора, в том числе и управляющего затвора.
